Vishay Semiconductor Diodes Division - BAS19-G3-18

KEY Part #: K6458590

BAS19-G3-18 Prezos (USD) [2806764unidades de stock]

  • 1 pcs$0.01391
  • 10,000 pcs$0.01384

Número de peza:
BAS19-G3-18
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120 Volt 200mA 50ns 2.5A IFSM
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Rectificadores - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Arrays, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Rectificadores - Solteiros and Diodos - Zener - Single ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAS19-G3-18 electronic components. BAS19-G3-18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS19-G3-18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAS19-G3-18 Atributos do produto

Número de peza : BAS19-G3-18
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23
Serie : Automotive, AEC-Q101
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 100V
Actual - Media rectificada (Io) : 200mA
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.25V @ 200mA
Velocidade : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo de recuperación inversa (trr) : 50ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 100nA @ 100V
Capacitancia @ Vr, F : 5pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivos de provedores : SOT-23
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 150°C

Tamén pode estar interesado
  • BAL74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA

  • BAT54T

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE

  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAR74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3.

  • BAL99E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode