SIZ988DT-T1-GE3 Prezos (USD) [164129unidades de stock]
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- Número de peza:
- SIZ988DT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores - SCRs - Módulos, Módulos de controlador de enerxía, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - Bipolar (BJT) - Individual ...
- Ventaxa competitiva:
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SIZ988DT-T1-GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SIZ988DT-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
Serie :
TrenchFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Función FET :
Standard
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
40A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.5 mOhm @ 10A, 10V, 4.1 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V
Potencia: máx :
20.2W, 40W
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-PowerWDFN
Paquete de dispositivos de provedores :
8-PowerPair®
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