Número de peza :
SIR618DP-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N-CH 200V 14.2A SO-8
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
14.2A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
95 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
16nC @ 7.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
740pF @ 100V
Disipación de potencia (máx.) :
48W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PowerPAK® SO-8
Paquete / Estuche :
PowerPAK® SO-8