Infineon Technologies - FF150R12MS4GBOSA1

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FF150R12MS4GBOSA1 Prezos (USD) [826unidades de stock]

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Número de peza:
FF150R12MS4GBOSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
IGBT MODULE VCES 1200V 150A.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores: TRIAC, Diodos - Rectificadores - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF150R12MS4GBOSA1 Atributos do produto

Número de peza : FF150R12MS4GBOSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : IGBT MODULE VCES 1200V 150A
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo IGBT : -
Configuración : 2 Independent
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) : 1200V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) : 225A
Potencia: máx : 1250W
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic : 3.7V @ 15V, 150A
Actual - Corte do coleccionista (máximo) : 5mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce : 11nF @ 25V
Entrada : Standard
Termistor NTC : Yes
Temperatura de operación : -40°C ~ 125°C
Tipo de montaxe : Chassis Mount
Paquete / Estuche : Module
Paquete de dispositivos de provedores : Module