Número de peza :
IPD60R380E6ATMA2
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET NCH 600V 10.6A TO252
Estado da parte :
Obsolete
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
10.6A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
380 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 300µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
32nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
700pF @ 100V
Función FET :
Super Junction
Disipación de potencia (máx.) :
83W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO252-3
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63