IXYS - IXFQ120N25X3

KEY Part #: K6398007

IXFQ120N25X3 Prezos (USD) [9843unidades de stock]

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Número de peza:
IXFQ120N25X3
Fabricante:
IXYS
Descrición detallada:
MOSFET N-CHANNEL 250V 120A TO3P.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Unión programable, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores: SCRs, Diodos - Zener - Single and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFQ120N25X3 Atributos do produto

Número de peza : IXFQ120N25X3
Fabricante : IXYS
Descrición : MOSFET N-CHANNEL 250V 120A TO3P
Serie : HiPerFET™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 250V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 120A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 4mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 122nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 7870pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 520W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : TO-3P
Paquete / Estuche : TO-3P-3, SC-65-3

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