Número de peza :
APTM120DA30T1G
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
31A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
360 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 2.5mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
560nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
14560pF @ 25V
Disipación de potencia (máx.) :
657W (Tc)
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
SP1