Infineon Technologies - IRFH7188TRPBF

KEY Part #: K6402538

[2669unidades de stock]


    Número de peza:
    IRFH7188TRPBF
    Fabricante:
    Infineon Technologies
    Descrición detallada:
    MOSFET N-CH 100V 18A.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Rectificadores - Arrays and Diodos - RF ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFH7188TRPBF Atributos do produto

    Número de peza : IRFH7188TRPBF
    Fabricante : Infineon Technologies
    Descrición : MOSFET N-CH 100V 18A
    Serie : FASTIRFET™, HEXFET®
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 100V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 18A (Ta), 105A (Tc)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 mOhm @ 50A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 150µA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 50nC @ 10V
    Vgs (máximo) : ±20V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 2116pF @ 50V
    Función FET : -
    Disipación de potencia (máx.) : 3.8W (Ta), 132W (Tc)
    Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete de dispositivos de provedores : PQFN (5x6)
    Paquete / Estuche : 8-PowerTDFN

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