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- Número de peza:
- SPB80N10L G
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 100V 80A TO-263.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - JFETs, Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies SPB80N10L G electronic components. SPB80N10L G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPB80N10L G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SPB80N10L G Atributos do produto
Número de peza :
SPB80N10L G
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 100V 80A TO-263
Serie :
SIPMOS®
Estado da parte :
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
80A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14 mOhm @ 58A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 2mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
240nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
4540pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
250W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO263-3-2
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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