Número de peza :
IXTU01N100D
Descrición :
MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1000V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
100mA (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
80 Ohm @ 50mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 25µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
120pF @ 25V
Función FET :
Depletion Mode
Disipación de potencia (máx.) :
1.1W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-251
Paquete / Estuche :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA