SI4210DY-T1-GE3 Prezos (USD) [3690unidades de stock]
- 2,500 pcs$0.11039
- Número de peza:
- SI4210DY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Unión programable, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores: TRIAC, Módulos de controlador de enerxía and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos ...
- Ventaxa competitiva:
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SI4210DY-T1-GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SI4210DY-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Serie :
TrenchFET®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Función FET :
Logic Level Gate
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
6.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
35.5 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
12nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
445pF @ 15V
Potencia: máx :
2.7W
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SO
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