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- Número de peza:
- IRFU5305
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CH 55V 31A I-PAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - RF, Diodos - Zener - Single, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual and Diodos - Zener - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRFU5305 electronic components. IRFU5305 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFU5305, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFU5305 Atributos do produto
Número de peza :
IRFU5305
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET P-CH 55V 31A I-PAK
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
55V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
31A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
65 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
63nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1200pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
110W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
IPAK (TO-251)
Paquete / Estuche :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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