Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
400V
Actual - Media rectificada (Io) :
400mA
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1V @ 400mA
Velocidade :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Actual - Fuga inversa @ Vr :
50nA @ 400V
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete / Estuche :
DO-204AH, DO-35, Axial
Paquete de dispositivos de provedores :
DO-35
Temperatura de funcionamento: unión :
-65°C ~ 175°C