Número de peza :
FQA85N06
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 60V 100A TO-3P
Estado da parte :
Obsolete
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
100A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
112nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
4120pF @ 25V
Disipación de potencia (máx.) :
214W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-3P
Paquete / Estuche :
TO-3P-3, SC-65-3