Infineon Technologies - IPB160N04S4H1ATMA1

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IPB160N04S4H1ATMA1 Prezos (USD) [82489unidades de stock]

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Número de peza:
IPB160N04S4H1ATMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: SCRs, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores: TRIAC, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Arrays, Diodos - Zener - Single, Diodos - Rectificadores - Arrays and Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB160N04S4H1ATMA1 Atributos do produto

Número de peza : IPB160N04S4H1ATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Serie : OptiMOS™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 40V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 160A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.6 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 110µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 137nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 10920pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 167W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : PG-TO263-7-3
Paquete / Estuche : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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