Microsemi Corporation - APT38N60BC6

KEY Part #: K6397762

APT38N60BC6 Prezos (USD) [11943unidades de stock]

  • 1 pcs$3.79443
  • 10 pcs$3.41542
  • 100 pcs$2.80832
  • 500 pcs$2.35291
  • 1,000 pcs$2.04931

Número de peza:
APT38N60BC6
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 600V 38A TO-247.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Finalidade especial and Diodos - Rectificadores - Solteiros ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Microsemi Corporation APT38N60BC6 electronic components. APT38N60BC6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT38N60BC6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT38N60BC6 Atributos do produto

Número de peza : APT38N60BC6
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrición : MOSFET N-CH 600V 38A TO-247
Serie : CoolMOS™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 38A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 99 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 1.2mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 112nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 2826pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 278W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : TO-247 [B]
Paquete / Estuche : TO-247-3

Tamén pode estar interesado
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • TK100A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.

  • TK10A80E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V TO220SIS.