BSO110N03MSGXUMA1 Prezos (USD) [261173unidades de stock]
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- Número de peza:
- BSO110N03MSGXUMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Transistores - Unión programable ...
- Ventaxa competitiva:
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BSO110N03MSGXUMA1 Atributos do produto
Número de peza :
BSO110N03MSGXUMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
Serie :
OptiMOS™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
10A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 mOhm @ 12.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
20nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1500pF @ 15V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
1.56W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-DSO-8
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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