APT75GN120B2G Prezos (USD) [6404unidades de stock]
- 1 pcs$6.46756
- 34 pcs$6.43539
- Número de peza:
- APT75GN120B2G
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrición detallada:
- IGBT 1200V 200A 833W TMAX.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Single, Diodos: rectificadores de ponte, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Módulos de controlador de enerxía and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos ...
- Ventaxa competitiva:
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APT75GN120B2G Atributos do produto
Número de peza :
APT75GN120B2G
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
IGBT 1200V 200A 833W TMAX
Serie :
-
Estado da parte :
Not For New Designs
Tipo IGBT :
Trench Field Stop
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
1200V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
200A
Actual - Coleccionista pulsado (Icm) :
225A
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 75A
Potencia: máx :
833W
Enerxía de conmutación :
8045µJ (on), 7640µJ (off)
Tipo de entrada :
Standard
Carga de porta :
425nC
Td (activado / apagado) a 25 ° C :
60ns/620ns
Condición da proba :
800V, 75A, 1 Ohm, 15V
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete / Estuche :
TO-247-3 Variant
Paquete de dispositivos de provedores :
-
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