DMN6013LFG-7 Prezos (USD) [280112unidades de stock]
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- Número de peza:
- DMN6013LFG-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Single, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Unión programable, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Rectificadores - Arrays, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Ventaxa competitiva:
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DMN6013LFG-7 Atributos do produto
Número de peza :
DMN6013LFG-7
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
10.3A (Ta), 45A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
55.4nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2577pF @ 30V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
1W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PowerDI3333-8
Paquete / Estuche :
8-PowerWDFN
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