Número de peza :
SIA416DJ-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N-CH 100V 11.3A SC70-6L
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
11.3A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
83 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
10nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
295pF @ 50V
Disipación de potencia (máx.) :
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PowerPAK® SC-70-6 Single
Paquete / Estuche :
PowerPAK® SC-70-6