STGYA120M65DF2 Prezos (USD) [7805unidades de stock]
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- 10 pcs$4.46561
- 100 pcs$3.77129
- 500 pcs$3.35483
- Número de peza:
- STGYA120M65DF2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrición detallada:
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M S.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Transistores - Bipolar (BJT) - Individual ...
- Ventaxa competitiva:
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STGYA120M65DF2 Atributos do produto
Número de peza :
STGYA120M65DF2
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrición :
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M S
Serie :
*
Estado da parte :
Active
Tipo IGBT :
NPT, Trench Field Stop
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
650V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
160A
Actual - Coleccionista pulsado (Icm) :
360A
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
1.95V @ 15V, 120A
Potencia: máx :
625W
Enerxía de conmutación :
1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
Tipo de entrada :
Standard
Carga de porta :
420nC
Td (activado / apagado) a 25 ° C :
66ns/185ns
Condición da proba :
400V, 120A, 4.7 Ohm, 15V
Tempo de recuperación inversa (trr) :
202ns
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete / Estuche :
TO-247-3 Exposed Pad
Paquete de dispositivos de provedores :
MAX247™
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