VS-8EWF10S-M3 Prezos (USD) [28864unidades de stock]
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- 2,500 pcs$0.71517
- Número de peza:
- VS-8EWF10S-M3
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 1KV 8A TO252AA. Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Arrays, Diodos - Zener - Single, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Módulos de controlador de enerxía ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-8EWF10S-M3 electronic components. VS-8EWF10S-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-8EWF10S-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-8EWF10S-M3 Atributos do produto
Número de peza :
VS-8EWF10S-M3
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO252AA
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
1000V
Actual - Media rectificada (Io) :
8A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.3V @ 8A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
270ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
100µA @ 1000V
Capacitancia @ Vr, F :
-
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivos de provedores :
D-PAK (TO-252AA)
Temperatura de funcionamento: unión :
-40°C ~ 150°C
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