Número de peza :
TK55S10N1,LQ
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
55A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.5 mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 500µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
49nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
3280pF @ 10V
Disipación de potencia (máx.) :
157W (Tc)
Temperatura de operación :
175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
DPAK+
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63