ESH3BHE3_A/H Prezos (USD) [331777unidades de stock]
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- 2,550 pcs$0.11706
- Número de peza:
- ESH3BHE3_A/H
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB. Rectifiers 100V 3.0A 25ns Glass Passivated
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Unión programable, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores: SCRs and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Ventaxa competitiva:
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ESH3BHE3_A/H Atributos do produto
Número de peza :
ESH3BHE3_A/H
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
100V
Actual - Media rectificada (Io) :
3A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
900mV @ 3A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
40ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
5µA @ 100V
Capacitancia @ Vr, F :
70pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
DO-214AB, SMC
Paquete de dispositivos de provedores :
DO-214AB (SMC)
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 175°C
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