NXP USA Inc. - PMV31XN,215

KEY Part #: K6414213

[12832unidades de stock]


    Número de peza:
    PMV31XN,215
    Fabricante:
    NXP USA Inc.
    Descrición detallada:
    MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT-23.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores: TRIAC and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PMV31XN,215 Atributos do produto

    Número de peza : PMV31XN,215
    Fabricante : NXP USA Inc.
    Descrición : MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT-23
    Serie : TrenchMOS™
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 20V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 5.9A (Tc)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 2.5V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 37 mOhm @ 1.5A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 1mA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 5.8nC @ 4.5V
    Vgs (máximo) : ±12V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 410pF @ 20V
    Función FET : -
    Disipación de potencia (máx.) : 280mW (Tj)
    Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete de dispositivos de provedores : TO-236AB (SOT23)
    Paquete / Estuche : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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