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- Número de peza:
- SI3586DV-T1-E3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - IGBTs - Arrays and Diodos - Zener - Single ...
- Ventaxa competitiva:
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SI3586DV-T1-E3 Atributos do produto
Número de peza :
SI3586DV-T1-E3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP
Serie :
TrenchFET®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N and P-Channel
Función FET :
Logic Level Gate
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
2.9A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
6nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
-
Potencia: máx :
830mW
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paquete de dispositivos de provedores :
6-TSOP
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