ESH3B-E3/9AT Prezos (USD) [286357unidades de stock]
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- Número de peza:
- ESH3B-E3/9AT
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB. Rectifiers 100V 3.0A 25ns Glass Passivated
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Arrays, Tiristores: TRIAC, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - RF and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
- Ventaxa competitiva:
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ESH3B-E3/9AT Atributos do produto
Número de peza :
ESH3B-E3/9AT
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
100V
Actual - Media rectificada (Io) :
3A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
900mV @ 3A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
40ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
5µA @ 100V
Capacitancia @ Vr, F :
-
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
DO-214AB, SMC
Paquete de dispositivos de provedores :
DO-214AB (SMC)
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 175°C
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