TK31N60W5,S1VF Prezos (USD) [14520unidades de stock]
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- Número de peza:
- TK31N60W5,S1VF
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Diodos - RF ...
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TK31N60W5,S1VF Atributos do produto
Número de peza :
TK31N60W5,S1VF
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247
Serie :
DTMOSIV
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
30.8A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
99 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 1.5mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
105nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
3000pF @ 300V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
230W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247
Paquete / Estuche :
TO-247-3
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- SIUD406ED-T1-GE3