FDS6930B Prezos (USD) [315576unidades de stock]
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- Número de peza:
- FDS6930B
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Unión programable, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - IGBTs - Single ...
- Ventaxa competitiva:
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FDS6930B Atributos do produto
Número de peza :
FDS6930B
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
Serie :
PowerTrench®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Función FET :
Logic Level Gate
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
38 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
3.8nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
412pF @ 15V
Potencia: máx :
900mW
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SOIC
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