[1053unidades de stock]
- Número de peza:
- FP75R07N2E4B11BOSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- IGBT MODULE VCES 600V 75A.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - RF, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Finalidade especial, Diodos - Rectificadores - Arrays and Transistores - Unión programable ...
- Ventaxa competitiva:
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FP75R07N2E4B11BOSA1 Atributos do produto
Número de peza :
FP75R07N2E4B11BOSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
IGBT MODULE VCES 600V 75A
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo IGBT :
Trench Field Stop
Configuración :
Three Phase Inverter
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
650V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
75A
Potencia: máx :
-
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
1.95V @ 15V, 75A
Actual - Corte do coleccionista (máximo) :
1mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce :
4.6nF @ 25V
Entrada :
Standard
Termistor NTC :
Yes
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete / Estuche :
Module
Paquete de dispositivos de provedores :
Module
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