ON Semiconductor - FQA11N90

KEY Part #: K6410207

[17unidades de stock]


    Número de peza:
    FQA11N90
    Fabricante:
    ON Semiconductor
    Descrición detallada:
    MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos and Transistores - JFETs ...
    Ventaxa competitiva:
    We specialize in ON Semiconductor FQA11N90 electronic components. FQA11N90 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQA11N90, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQA11N90 Atributos do produto

    Número de peza : FQA11N90
    Fabricante : ON Semiconductor
    Descrición : MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P
    Serie : QFET®
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 900V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 11.4A (Tc)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 960 mOhm @ 5.7A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 94nC @ 10V
    Vgs (máximo) : ±30V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 3500pF @ 25V
    Función FET : -
    Disipación de potencia (máx.) : 300W (Tc)
    Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Through Hole
    Paquete de dispositivos de provedores : TO-3P
    Paquete / Estuche : TO-3P-3, SC-65-3

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