Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6J213FE(TE85L,F

KEY Part #: K6407580

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Número de peza:
SSM6J213FE(TE85L,F
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición detallada:
MOSFET P CH 20V 2.6A ES6.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM6J213FE(TE85L,F Atributos do produto

Número de peza : SSM6J213FE(TE85L,F
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición : MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
Serie : U-MOSVI
Estado da parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 2.6A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 103 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 4.7nC @ 4.5V
Vgs (máximo) : ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 290pF @ 10V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 500mW (Ta)
Temperatura de operación : 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : ES6
Paquete / Estuche : SOT-563, SOT-666

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