FQPF11P06 Prezos (USD) [62346unidades de stock]
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- Número de peza:
- FQPF11P06
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CH 60V 8.6A TO-220F.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores: TRIAC, Diodos: rectificadores de ponte, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Finalidade especial, Tiristores: SCRs, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Módulos de controlador de enerxía ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FQPF11P06 electronic components. FQPF11P06 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQPF11P06, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQPF11P06 Atributos do produto
Número de peza :
FQPF11P06
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET P-CH 60V 8.6A TO-220F
Serie :
QFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
8.6A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
175 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
17nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
550pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
30W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220F
Paquete / Estuche :
TO-220-3 Full Pack
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