BYM12-50HE3_A/I Prezos (USD) [777077unidades de stock]
- 1 pcs$0.04760
- Número de peza:
- BYM12-50HE3_A/I
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB. Rectifiers 1A,50V,50NS GL41 AEC-Q101 Qualified
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Finalidade especial, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Módulos de controlador de enerxía, Diodos - Zener - Single, Tiristores: TRIAC, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Rectificadores - Solteiros and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Ventaxa competitiva:
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BYM12-50HE3_A/I Atributos do produto
Número de peza :
BYM12-50HE3_A/I
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
Serie :
Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
50V
Actual - Media rectificada (Io) :
1A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1V @ 1A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
50ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
5µA @ 50V
Capacitancia @ Vr, F :
20pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
DO-213AB, MELF (Glass)
Paquete de dispositivos de provedores :
DO-213AB
Temperatura de funcionamento: unión :
-65°C ~ 175°C
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Pezas quentes
- BAT46WJ/DG/B2,115
- D121K20BXPSA1
- SB530-A
- 1N4002-N-0-2-BP
- VS-20TQ035STRLPBF
- RY2A
- VS-HFA16TB120STRRP
- GKR26/14
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- EGP50DHE3/73
- CDBA120-G
- FFPF04F150STU
- VS-8TQ080PBF
- SD101CWS-7
- B0540W-7
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- 301U80
- B140S1F-7
- CCS15S30,L3QUF
- STPSC40065CWY
- HER104-TP
- 2A06-AP
- UGB8BTHE3/81
- S10CKHM3/I
- ES2FHE3_A/I
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