Infineon Technologies - IRF8327STRPBF

KEY Part #: K6420314

IRF8327STRPBF Prezos (USD) [181600unidades de stock]

  • 1 pcs$0.22022
  • 4,800 pcs$0.21912

Número de peza:
IRF8327STRPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 30V 14A SQ.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Solteiros, Tiristores: TRIAC, Diodos - RF, Tiristores: SCRs, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Módulos, Módulos de controlador de enerxía and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Infineon Technologies IRF8327STRPBF electronic components. IRF8327STRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF8327STRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF8327STRPBF Atributos do produto

Número de peza : IRF8327STRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : MOSFET N-CH 30V 14A SQ
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 14A (Ta), 60A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.3 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 25µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 14nC @ 4.5V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1430pF @ 15V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de operación : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : DIRECTFET™ SQ
Paquete / Estuche : DirectFET™ Isometric SQ