FCPF190N65S3R0L Prezos (USD) [30662unidades de stock]
- 1 pcs$1.34413
- Número de peza:
- FCPF190N65S3R0L
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- SUPERFET3 650V TO220F PKG.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Tiristores: TRIAC, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Ventaxa competitiva:
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FCPF190N65S3R0L Atributos do produto
Número de peza :
FCPF190N65S3R0L
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
SUPERFET3 650V TO220F PKG
Serie :
SuperFET® III
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
17A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 1.7mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
33nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1350pF @ 400V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
144W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220F-3
Paquete / Estuche :
TO-220-3 Full Pack
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