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- Número de peza:
- NTD4857NAT4G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 25V 12A DPAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Finalidade especial, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Zener - Arrays, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores: DIACs, SIDACs and Diodos - Rectificadores - Solteiros ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor NTD4857NAT4G electronic components. NTD4857NAT4G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTD4857NAT4G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTD4857NAT4G Atributos do produto
Número de peza :
NTD4857NAT4G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 25V 12A DPAK
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
25V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
12A (Ta), 78A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.7 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
24nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1960pF @ 12V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
-
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
DPAK
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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