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- Número de peza:
- IXFX52N30Q
- Fabricante:
- IXYS
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 300V 52A PLUS247-3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Módulos de controlador de enerxía, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in IXYS IXFX52N30Q electronic components. IXFX52N30Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFX52N30Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFX52N30Q Atributos do produto
Número de peza :
IXFX52N30Q
Fabricante :
IXYS
Descrición :
MOSFET N-CH 300V 52A PLUS247-3
Serie :
HiPerFET™
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
300V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
52A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
-
Vgs (máximo) :
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
-
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
360W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
PLUS247™-3
Paquete / Estuche :
TO-247-3
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