BSP322PH6327XTSA1 Prezos (USD) [247849unidades de stock]
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- Número de peza:
- BSP322PH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Unión programable, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - Rectificadores - Arrays and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
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BSP322PH6327XTSA1 Atributos do produto
Número de peza :
BSP322PH6327XTSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223
Serie :
SIPMOS®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
1A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
800 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 380µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
16.5nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
372pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
1.8W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-SOT223-4
Paquete / Estuche :
TO-261-4, TO-261AA
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