DMG8N65SCT Prezos (USD) [69109unidades de stock]
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- Número de peza:
- DMG8N65SCT
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Finalidade especial, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Arrays, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
- Ventaxa competitiva:
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DMG8N65SCT Atributos do produto
Número de peza :
DMG8N65SCT
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
8A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.3 Ohm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
30nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1217pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
125W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220AB
Paquete / Estuche :
TO-220-3
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