IRF7853TRPBF Prezos (USD) [158145unidades de stock]
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- Número de peza:
- IRF7853TRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores: TRIAC, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistores - Finalidade especial ...
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IRF7853TRPBF Atributos do produto
Número de peza :
IRF7853TRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
8.3A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
18 mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.9V @ 100µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
39nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1640pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2.5W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SO
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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