Número de peza :
SIHJ240N60E-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N-CHAN 600V PPAK SO-8L
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
12A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
240 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
23nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
783pF @ 100V
Disipación de potencia (máx.) :
89W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PowerPAK® SO-8
Paquete / Estuche :
PowerPAK® SO-8