Infineon Technologies - IRLH5034TRPBF

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IRLH5034TRPBF Prezos (USD) [63606unidades de stock]

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Número de peza:
IRLH5034TRPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 40V 100A 8-PQFN.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Unión programable, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs - Módulos and Diodos - Zener - Arrays ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLH5034TRPBF Atributos do produto

Número de peza : IRLH5034TRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : MOSFET N-CH 40V 100A 8-PQFN
Serie : HEXFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 40V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 29A (Ta), 100A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 150µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 82nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 4730pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : 8-PQFN (5x6)
Paquete / Estuche : 8-PowerVDFN

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