Infineon Technologies - BSS214NW L6327

KEY Part #: K6407307

[8620unidades de stock]


    Número de peza:
    BSS214NW L6327
    Fabricante:
    Infineon Technologies
    Descrición detallada:
    MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-323.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - RF, Diodos: rectificadores de ponte, Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BSS214NW L6327 Atributos do produto

    Número de peza : BSS214NW L6327
    Fabricante : Infineon Technologies
    Descrición : MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-323
    Serie : OptiMOS™
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 20V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 1.5A (Ta)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 2.5V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 3.7µA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 0.8nC @ 5V
    Vgs (máximo) : ±12V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 143pF @ 10V
    Función FET : -
    Disipación de potencia (máx.) : 500mW (Ta)
    Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete de dispositivos de provedores : PG-SOT323-3
    Paquete / Estuche : SC-70, SOT-323

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