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- Número de peza:
- SI5858DU-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - RF, Diodos: rectificadores de ponte, Tiristores: SCRs, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Tiristores: TRIAC, Tiristores: DIACs, SIDACs and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SI5858DU-T1-GE3 electronic components. SI5858DU-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5858DU-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI5858DU-T1-GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SI5858DU-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Serie :
LITTLE FOOT®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
6A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
39 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
16nC @ 8V
Vgs (máximo) :
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
520pF @ 10V
Función FET :
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.) :
2.3W (Ta), 8.3W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PowerPAK® ChipFet Dual
Paquete / Estuche :
PowerPAK® ChipFET™ Dual
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