Rohm Semiconductor - RSD080N06TL

KEY Part #: K6420508

RSD080N06TL Prezos (USD) [202426unidades de stock]

  • 1 pcs$0.20200
  • 2,500 pcs$0.20099

Número de peza:
RSD080N06TL
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 60V 8A CPT3.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Finalidade especial, Módulos de controlador de enerxía, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Tiristores - SCRs - Módulos ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Rohm Semiconductor RSD080N06TL electronic components. RSD080N06TL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RSD080N06TL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RSD080N06TL Atributos do produto

Número de peza : RSD080N06TL
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrición : MOSFET N-CH 60V 8A CPT3
Serie : -
Estado da parte : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 8A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 9.4nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 380pF @ 10V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 15W (Tc)
Temperatura de operación : 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : CPT3
Paquete / Estuche : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Tamén pode estar interesado