DMN2005LP4K-7 Prezos (USD) [779994unidades de stock]
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- Número de peza:
- DMN2005LP4K-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Unión programable, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
- Ventaxa competitiva:
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DMN2005LP4K-7 Atributos do produto
Número de peza :
DMN2005LP4K-7
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
200mA (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.5 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id :
900mV @ 100µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
-
Vgs (máximo) :
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
41pF @ 3V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
400mW (Ta)
Temperatura de operación :
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
X2-DFN1006-3
Paquete / Estuche :
3-XFDFN
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- SQ2398ES-T1_GE3