Vishay Siliconix - SIRA52ADP-T1-RE3

KEY Part #: K6419840

SIRA52ADP-T1-RE3 Prezos (USD) [137575unidades de stock]

  • 1 pcs$0.26885

Número de peza:
SIRA52ADP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Single, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Finalidade especial, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Vishay Siliconix SIRA52ADP-T1-RE3 electronic components. SIRA52ADP-T1-RE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIRA52ADP-T1-RE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIRA52ADP-T1-RE3 Atributos do produto

Número de peza : SIRA52ADP-T1-RE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8
Serie : TrenchFET® Gen IV
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 40V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 41.6A (Ta), 131A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.63 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 100nC @ 10V
Vgs (máximo) : +20V, -16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 5500pF @ 20V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : PowerPAK® SO-8
Paquete / Estuche : PowerPAK® SO-8

Tamén pode estar interesado