DMG6602SVT-7 Prezos (USD) [885618unidades de stock]
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- Número de peza:
- DMG6602SVT-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrición detallada:
- MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Módulos de controlador de enerxía, Diodos - Rectificadores - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - RF and Transistores - IGBTs - Arrays ...
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DMG6602SVT-7 Atributos do produto
Número de peza :
DMG6602SVT-7
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6
Serie :
-
Estado da parte :
Not For New Designs
Tipo FET :
N and P-Channel
Función FET :
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
3.4A, 2.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
13nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
400pF @ 15V
Potencia: máx :
840mW
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paquete de dispositivos de provedores :
TSOT-23-6
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