EPC2111ENGRT Prezos (USD) [60727unidades de stock]
- 1 pcs$0.71180
- 1,000 pcs$0.70826
- Número de peza:
- EPC2111ENGRT
- Fabricante:
- EPC
- Descrición detallada:
- GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Unión programable, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores: SCRs, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - Individual ...
- Ventaxa competitiva:
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EPC2111ENGRT Atributos do produto
Número de peza :
EPC2111ENGRT
Fabricante :
EPC
Descrición :
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
Función FET :
GaNFET (Gallium Nitride)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 5mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
230pF @ 15V, 590pF @ 15V
Potencia: máx :
-
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
Die
Paquete de dispositivos de provedores :
Die
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